图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTQD6968N |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 1.39W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.017 Ohms |
| 配置 | Dual Dual Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TSSOP-8 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 25 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 19.2 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.81 W |
| 上升时间 | 25 ns |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 22@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 最大功率耗散 | 1810 |
| 最大连续漏极电流 | 7 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 其他名称 | NTQD6968NR2GOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.39W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 630pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 630pF @ 16V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 1.39W |
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